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AlN-DCB-Substrate |
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| AlN kombiniert, als Trägermaterial in DCB-Substraten, seine exzellente thermische Leitfähigkeit mit guter mechanischer Stabilität. Ein weiterer Vorteil von AlN gegenüber Al2O3 ist sein angepasster Wärmeausdehnungskoeffizient. Dieser liegt nahe an dem des Siliziums und ruft dadurch kaum thermische Spannungen in der Lotschicht zwischen Chip und Substrat hervor. |
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| DCB-Substrate, die auf AlN-Keramik basieren, werden hauptsächlich in Anwendungen mit sehr hohen Betriebsspannungen bei hoher Teilentladungsfestigkeit und sehr hohen Zuverlässigkeitsanforderungen eingesetzt, wie |
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in Bahnantrieben |
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in der Luft- und Raumfahrt |
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in industriellen Leistungshalbleitermodulen mit hoher Leistungsdichte. |
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